5月7日，北京监管局披露了国开证券股份有限公司关于北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称「天科合达」）首次公开发行股票并在科创板上市辅导工作报告（第二期）。投资人观点中科创星此前曾参与第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发及生产技术产业链的投资。中科创星认为，SiC材料具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，是新一代半导体材料中的佼佼者，可广泛应用于高功率器件、高频&超高频通信器件、高可靠性要求应用领域，在新能源汽车、轨道交通、5G通信、工业电源等领域有极大应用潜力。SiC器件性能优势明显，但衬底材料制备难度太高、良率低、品质不稳，导致下游SiC器件非常昂….